光蝕刻的過程是怎麼樣的？下面就和鈞傑小編一起來了解一下吧。化學蝕刻是一種精密金屬切割和蝕刻工藝，使用特殊配方的化學品在金屬平板上創建設計。該工藝的性質使得可以在各種金屬上蝕刻高度復雜和復雜的特征。電子工藝用於生產計算機處理器等電子部件，這些部件非常復雜，需要對細節特別關註。該工藝包括復雜的塗層、光學器件、等離子體發生器、真空室。

照片工具繪圖

照片工具是所需輪廓或“藝術品”的攝影底片圖像。該圖案是使用某種形式的工程設計軟件繪制的，例如繪圖交換格式 (DXF)、illustrator、計算機輔助設計 (CAD) 或某種其他形式的設計軟件。設計的渲染（包括其參數）被轉換為照相工具，並通過照相繪圖儀或激光成像系統打印到照相膠片（鹵化銀或重氮膠片）上。蝕刻過程中還添加了補償因子。這是通過增加輪廓的寬度或使外邊緣更大而內邊緣（例如孔、槽和凹口）更小來完成的。以下是影響照片工具尺寸的一些因素。

溫度和濕度變化

在將圖稿繪制到照片工具中的過程中，由於溫度和濕度的變化，可能會出現尺寸變化。這可以通過使用較厚的聚酯薄膜或玻璃作為照相工具，或通過在受控環境中進行繪圖來控制。如果無法消除溫度和濕度變化，最好使用“無掩模”曝光技術，例如激光直寫。

蝕刻因子

由於大多數蝕刻劑的作用各向同性（濕法蝕刻和等離子蝕刻），因此會產生底切。各向同性反應在長蝕刻過程中更為普遍；深蝕刻需要更長的蝕刻劑暴露時間。因此，更深的蝕刻會導致更顯著的底切。蝕刻系數表示為底切與蝕刻深度的比率。創建照片工具時必須考慮這一點。必須調整繪制到照片工具的圖像邊緣以補償底切。

添加補償因子後，最終的主圖像將被重復繪制到膠片上以最大化輸出。

材料準備

然後在施加光致抗蝕劑塗層之前對工件進行切割和清潔。這是為了確保在初次加工和處理過程中積聚在金屬表面的任何油、汙垢、鐵銹或油脂不會妨礙光刻膠的粘附。有兩種清潔方法：化學清潔和機械清潔。化學清洗涉及溫和的酸洗過程，其中材料懸浮在由弱酸和脫脂劑組成的脫脂溶液中。另一方面，機械清潔對材料進行某種形式的擦洗並使用溫和的脫脂溶液。化學清潔方法優於機械清潔方法，因為對材料造成的損壞較小。

還可以應用六甲基二矽氮烷（HMDS）塗層來增加光致抗蝕劑的粘附力。這確保了表面是疏水性的，留下非極性表面。

光刻膠塗層

光刻膠是沈積在工件表面上的光敏有機材料。光致抗蝕劑可以承受蝕刻溶液，留下清晰的圖像。當該塗層暴露在紫外線下時，它會變得可溶或不溶於顯影劑溶劑，具體取決於所使用的類型。光致抗蝕劑區域要麼被光掩膜保護，要麼被光掩膜曝光。光刻膠根據產生的圖像類型、化學結構和形式進行分類。根據產生的圖像類型，光刻膠有：

正性光刻膠

正性光刻膠是曝光區域可溶於顯影劑溶劑的類型。

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負性光刻膠

這種類型與正性光致抗蝕劑的效果相反，其中暴露於紫外線的區域聚合或固化，變得對顯影劑溶劑具有化學耐受性。

與負性光刻膠相比，正性光刻膠通常表現出更好的圖像分辨率。然而，它們需要更長的曝光時間，更難以顯影和去除，並且更昂貴。

以下是按化學結構分類的光刻膠。

光聚合物

編輯

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在這種類型的光刻膠材料中，暴露於紫外線時會產生自由基。這些自由基引發交聯反應，產生固化膜。

光分解

該過程利用光敏材料（通常是重氮萘醌（DNQ））的光分解。這會產生親水性化合物，然後與水反應形成茚羧酸，使暴露的部分可溶。

光交聯

在這種類型中，暴露於紫外線時會產生酸，引發交聯反應，形成不溶性網絡。該工藝用於負性光刻膠。

光刻膠還可以根據形態進一步分類。

幹膜

這些是光敏材料卷，中間夾有由聚乙烯膜組成的隔離片（頂層）和由聚酯組成的支撐或保護膜（底層）。光敏材料的化學結構可以是光聚合的或光分解的。

以上就是鈞傑小編為大家帶來的光蝕刻的一部分過程。